IXFR200N10P 価格設定（USD） [8745個在庫]
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- 30 pcs$5.18366
- 品番:
- IXFR200N10P
- メーカー:
- IXYS
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 100V 133A ISOPLUS247.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, サイリスタ-SCR-モジュール, パワードライバーモジュール, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF and ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in IXYS IXFR200N10P electronic components. IXFR200N10P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFR200N10P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXFR200N10P 製品の属性
品番 :
IXFR200N10P
メーカー :
IXYS
説明 :
MOSFET N-CH 100V 133A ISOPLUS247
シリーズ :
HiPerFET™, PolarP2™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
133A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
9 mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5V @ 8mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
235nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
7600pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
300W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
ISOPLUS247™
パッケージ/ケース :
ISOPLUS247™
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