Infineon Technologies - IRL40B212

KEY Part #: K6403698

IRL40B212 価格設定(USD) [27833個在庫]

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品番:
IRL40B212
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 40V 195A.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-RF, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル and ダイオード-整流器-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRL40B212 製品の属性

品番 : IRL40B212
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 40V 195A
シリーズ : HEXFET®, StrongIRFET™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 40V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 195A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 1.9 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.4V @ 150µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 137nC @ 4.5V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 8320pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 231W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220AB
パッケージ/ケース : TO-220-3

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