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ON Semiconductor - FDS8880

KEY Part #: K6418254

FDS8880 価格設定（USD） [357879個在庫]

  • 1 pcs$0.10335
  • 2,500 pcs$0.09582
品番:
FDS8880
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-RF, ダイオード-整流器-アレイ and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor FDS8880 electronic components. FDS8880 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDS8880, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDS8880 製品の属性

品番 : FDS8880
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC
シリーズ : PowerTrench®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 11.6A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 10 mOhm @ 11.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 2.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 30nC @ 10V
Vgs（最大） : ±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 1235pF @ 15V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 2.5W (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-SOIC
パッケージ/ケース : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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