IXTF2N300P3 価格設定（USD） [2365個在庫]
- 1 pcs$18.30962
- 品番:
- IXTF2N300P3
- メーカー:
- IXYS
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-JFET, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス and ダイオード-ツェナー-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in IXYS IXTF2N300P3 electronic components. IXTF2N300P3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTF2N300P3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXTF2N300P3 製品の属性
品番 :
IXTF2N300P3
メーカー :
IXYS
説明 :
MOSFET N-CH
シリーズ :
Polar™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
3000V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
1.6A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
21 Ohm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
73nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1890pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
160W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
ISOPLUS i4-PAC™
パッケージ/ケース :
ISOPLUSi5-Pak™
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