SI7980DP-T1-GE3 価格設定（USD） [3687個在庫]
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- 品番:
- SI7980DP-T1-GE3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SI7980DP-T1-GE3 electronic components. SI7980DP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7980DP-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI7980DP-T1-GE3 製品の属性
品番 :
SI7980DP-T1-GE3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8
シリーズ :
TrenchFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
2 N-Channel (Half Bridge)
FET機能 :
Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
8A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
22 mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
27nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1010pF @ 10V
パワー-最大 :
19.8W, 21.9W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
PowerPAK® SO-8 Dual
サプライヤーデバイスパッケージ :
PowerPAK® SO-8 Dual
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