Vishay Siliconix - SIRA18ADP-T1-GE3

KEY Part #: K6396209

SIRA18ADP-T1-GE3 価格設定(USD) [557105個在庫]

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品番:
SIRA18ADP-T1-GE3
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET N-CH 30V 30.6A POWERPAKSO.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター) and トランジスタ-IGBT-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIRA18ADP-T1-GE3 製品の属性

品番 : SIRA18ADP-T1-GE3
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET N-CH 30V 30.6A POWERPAKSO
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 30.6A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 8.7 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 21.5nC @ 10V
Vgs(最大) : +20V, -16V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1000pF @ 15V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 14.7W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PowerPAK® SO-8
パッケージ/ケース : PowerPAK® SO-8

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