IXYS - IXFV18N60PS

KEY Part #: K6413470

[13089個在庫]


    品番:
    IXFV18N60PS
    メーカー:
    IXYS
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220-SMD.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-RF, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC and ダイオード-整流器-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in IXYS IXFV18N60PS electronic components. IXFV18N60PS can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFV18N60PS, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IXFV18N60PS 製品の属性

    品番 : IXFV18N60PS
    メーカー : IXYS
    説明 : MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220-SMD
    シリーズ : HiPerFET™, PolarHT™
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 600V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 18A (Tc)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 400 mOhm @ 500mA, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 5.5V @ 2.5mA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 50nC @ 10V
    Vgs(最大) : ±30V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2500pF @ 25V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 360W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : PLUS-220SMD
    パッケージ/ケース : PLUS-220SMD

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