Vishay Siliconix - SIR698DP-T1-GE3

KEY Part #: K6404818

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品番:
SIR698DP-T1-GE3
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET N-CH 100V 7.5A PPAK SO-8.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-IGBT-アレイ, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス and トランジスタ-IGBT-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIR698DP-T1-GE3 製品の属性

品番 : SIR698DP-T1-GE3
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET N-CH 100V 7.5A PPAK SO-8
シリーズ : TrenchFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 100V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 7.5A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 6V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 195 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 8nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 210pF @ 50V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 3.7W (Ta), 23W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PowerPAK® SO-8
パッケージ/ケース : PowerPAK® SO-8

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