IRFBE30STRLPBF 価格設定（USD） [41587個在庫]
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- 800 pcs$0.88648
- 品番:
- IRFBE30STRLPBF
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-SCR, ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ and ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix IRFBE30STRLPBF electronic components. IRFBE30STRLPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFBE30STRLPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFBE30STRLPBF 製品の属性
品番 :
IRFBE30STRLPBF
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
800V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
4.1A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
3 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
78nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1300pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
125W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
D2PAK
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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