STB35NF10T4 価格設定（USD） [83162個在庫]
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- 品番:
- STB35NF10T4
- メーカー:
- STMicroelectronics
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in STMicroelectronics STB35NF10T4 electronic components. STB35NF10T4 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STB35NF10T4, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STB35NF10T4 製品の属性
品番 :
STB35NF10T4
メーカー :
STMicroelectronics
説明 :
MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK
シリーズ :
STripFET™ II
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
40A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
35 mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
55nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1550pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
115W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
D2PAK
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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