NXP USA Inc. - PMV90EN,215

KEY Part #: K6412516

[8441個在庫]


    品番:
    PMV90EN,215
    メーカー:
    NXP USA Inc.
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT-23.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-IGBT-モジュール and トランジスタ-FET、MOSFET-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in NXP USA Inc. PMV90EN,215 electronic components. PMV90EN,215 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PMV90EN,215, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    PMV90EN,215 製品の属性

    品番 : PMV90EN,215
    メーカー : NXP USA Inc.
    説明 : MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT-23
    シリーズ : -
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 1.9A (Ta)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 84 mOhm @ 1.9A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 2.5V @ 250µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 4nC @ 10V
    Vgs(最大) : ±20V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 132pF @ 15V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 310mW (Ta), 2.09W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : TO-236AB (SOT23)
    パッケージ/ケース : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

    あなたも興味があるかもしれません
    • GP2M002A060CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 600V 2A DPAK.

    • IRFR4104TRR

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 40V 42A DPAK.

    • IRFR4104TRL

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 40V 42A DPAK.

    • IRFR7746PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 75V 56A D2PAK.

    • IRFR120ZTRL

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK.

    • FDD16AN08A0-F085

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 75V 50A DPAK.