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ON Semiconductor - FQP17N08L

KEY Part #: K6413623

[13037個在庫]

    品番:
    FQP17N08L
    メーカー:
    ON Semiconductor
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 80V 16.5A TO-220.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-ツェナー-アレイ and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in ON Semiconductor FQP17N08L electronic components. FQP17N08L can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQP17N08L, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FQP17N08L 製品の属性

    品番 : FQP17N08L
    メーカー : ON Semiconductor
    説明 : MOSFET N-CH 80V 16.5A TO-220
    シリーズ : QFET®
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 80V
    電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 16.5A (Tc)
    駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 5V, 10V
    Rds On（最大）@ Id、Vgs : 100 mOhm @ 8.25A, 10V
    Vgs（th）（最大）@ Id : 2V @ 250µA
    ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 11.5nC @ 5V
    Vgs（最大） : ±20V
    入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 520pF @ 25V
    FET機能 : -
    消費電力（最大） : 65W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
    取付タイプ : Through Hole
    サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220-3
    パッケージ/ケース : TO-220-3

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