Diodes Incorporated - ZVN4306ASTOA

KEY Part #: K6413673

[13018個在庫]


    品番:
    ZVN4306ASTOA
    メーカー:
    Diodes Incorporated
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-整流器-シングル and トランジスタ-IGBT-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Diodes Incorporated ZVN4306ASTOA electronic components. ZVN4306ASTOA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ZVN4306ASTOA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    ZVN4306ASTOA 製品の属性

    品番 : ZVN4306ASTOA
    メーカー : Diodes Incorporated
    説明 : MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3
    シリーズ : -
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 60V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 1.1A (Ta)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 5V, 10V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 330 mOhm @ 3A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 3V @ 1mA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : -
    Vgs(最大) : ±20V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 350pF @ 25V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 850mW (Ta)
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Through Hole
    サプライヤーデバイスパッケージ : E-Line (TO-92 compatible)
    パッケージ/ケース : E-Line-3

    あなたも興味があるかもしれません
    • IRF5804TR

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 40V 2.5A 6-TSOP.

    • IRF5805TR

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 30V 3.8A 6-TSOP.

    • IRF5800TR

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP.

    • IRF5805

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 30V 3.8A 6-TSOP.

    • IRF5800

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP.

    • IRF5804

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 40V 2.5A 6-TSOP.