STMicroelectronics - STW58N65DM2AG

KEY Part #: K6398596

STW58N65DM2AG 価格設定(USD) [7905個在庫]

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品番:
STW58N65DM2AG
メーカー:
STMicroelectronics
詳細な説明:
MOSFET N-CH 650V 48A.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-SCR, トランジスタ-JFET and パワードライバーモジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STW58N65DM2AG 製品の属性

品番 : STW58N65DM2AG
メーカー : STMicroelectronics
説明 : MOSFET N-CH 650V 48A
シリーズ : Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 650V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 48A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 65 mOhm @ 24A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 88nC @ 10V
Vgs(最大) : ±25V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 4100pF @ 100V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 360W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-247
パッケージ/ケース : TO-247-3

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