IXYS - IXFQ23N60Q

KEY Part #: K6411986

IXFQ23N60Q 価格設定(USD) [8619個在庫]

  • 1 pcs$5.26196

品番:
IXFQ23N60Q
メーカー:
IXYS
詳細な説明:
MOSFET N-CH 600V 23A TO-268D3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール and トランジスタ-IGBT-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in IXYS IXFQ23N60Q electronic components. IXFQ23N60Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFQ23N60Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFQ23N60Q 製品の属性

品番 : IXFQ23N60Q
メーカー : IXYS
説明 : MOSFET N-CH 600V 23A TO-268D3
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 600V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 23A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : -
Rds On(最大)@ Id、Vgs : -
Vgs(th)(最大)@ Id : -
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : -
Vgs(最大) : -
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : -
FET機能 : -
消費電力(最大) : -
動作温度 : -
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-268
パッケージ/ケース : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

あなたも興味があるかもしれません
  • IRLR8113TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 94A DPAK.

  • IRFR12N25DPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 250V 14A DPAK.

  • IRFR3710ZPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 42A DPAK.

  • IRFR1010ZPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

  • IRFR18N15DPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 150V 18A DPAK.

  • IRFR3410PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 31A DPAK.