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- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-ツェナー-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IPP80N04S2H4AKSA2 electronic components. IPP80N04S2H4AKSA2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPP80N04S2H4AKSA2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPP80N04S2H4AKSA2 製品の属性
品番 :
IPP80N04S2H4AKSA2
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
シリーズ :
OptiMOS™
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
40V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
80A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
4 mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
148nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
4400pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
300W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TO220-3-1
パッケージ/ケース :
TO-220-3
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