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- 品番:
- PH8030L,115
- メーカー:
- NXP USA Inc.
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 30V 76.7A LFPAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-特別な目的, サイリスタ-DIAC、SIDAC, パワードライバーモジュール and トランジスタ-FET、MOSFET-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
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PH8030L,115 製品の属性
品番 :
PH8030L,115
メーカー :
NXP USA Inc.
説明 :
MOSFET N-CH 30V 76.7A LFPAK
シリーズ :
TrenchMOS™
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
76.7A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
5.9 mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.15V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
15.2nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2260pF @ 12V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
62.5W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
LFPAK56, Power-SO8
パッケージ/ケース :
SC-100, SOT-669
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