SIHG30N60E-E3 価格設定（USD） [21111個在庫]
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- 500 pcs$1.85085
- 品番:
- SIHG30N60E-E3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SIHG30N60E-E3 electronic components. SIHG30N60E-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHG30N60E-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SIHG30N60E-E3 製品の属性
品番 :
SIHG30N60E-E3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
29A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
125 mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
130nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2600pF @ 100V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
250W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-247AC
パッケージ/ケース :
TO-247-3
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