STMicroelectronics - STP200NF04L

KEY Part #: K6415817

[12278個在庫]


    品番:
    STP200NF04L
    メーカー:
    STMicroelectronics
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 40V 120A TO-220.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, ダイオード-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-JFET, サイリスタ-SCR, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and トランジスタ-IGBT-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in STMicroelectronics STP200NF04L electronic components. STP200NF04L can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STP200NF04L, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    STP200NF04L 製品の属性

    品番 : STP200NF04L
    メーカー : STMicroelectronics
    説明 : MOSFET N-CH 40V 120A TO-220
    シリーズ : STripFET™ II
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 40V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 120A (Tc)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 5V, 10V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 3.8 mOhm @ 50A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 90nC @ 4.5V
    Vgs(最大) : ±16V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 6400pF @ 25V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 300W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
    取付タイプ : Through Hole
    サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220AB
    パッケージ/ケース : TO-220-3

    あなたも興味があるかもしれません
    • FQD3P50TM

      ON Semiconductor

      MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK.

    • FDD5690

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 30A D-PAK.

    • RFD14N05SM9A

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 50V 14A DPAK.

    • FDD86113LZ

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK-3.

    • FDD6637

      ON Semiconductor

      MOSFET P-CH 35V 13A DPAK.

    • FDD4141-F085

      ON Semiconductor

      MOSFET P-CH 40V 10.8A DPAK.