Diodes Incorporated - DMN30H4D0L-13

KEY Part #: K6412452

DMN30H4D0L-13 価格設定(USD) [13440個在庫]

  • 10,000 pcs$0.06625

品番:
DMN30H4D0L-13
メーカー:
Diodes Incorporated
詳細な説明:
MOSFET N-CH 300V .25A SOT23.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, サイリスタ-SCR, トランジスタ-IGBT-モジュール and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Diodes Incorporated DMN30H4D0L-13 electronic components. DMN30H4D0L-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN30H4D0L-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN30H4D0L-13 製品の属性

品番 : DMN30H4D0L-13
メーカー : Diodes Incorporated
説明 : MOSFET N-CH 300V .25A SOT23
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 300V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 250mA (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 2.7V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 4 Ohm @ 300mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 7.6nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 187.3pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 310mW (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : SOT-23
パッケージ/ケース : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

あなたも興味があるかもしれません
  • IRLR3705Z

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

  • IRFR2307Z

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 75V 42A DPAK.

  • IRFR2607Z

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 75V 42A DPAK.

  • IRFR1010Z

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

  • GP2M002A060CG

    Global Power Technologies Group

    MOSFET N-CH 600V 2A DPAK.

  • IRFR4104TRR

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 40V 42A DPAK.