ZXMN10A11K 価格設定（USD） [187042個在庫]
- 1 pcs$0.19775
- 品番:
- ZXMN10A11K
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 100V 2.4A DPAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, サイリスタ-SCR, パワードライバーモジュール, サイリスタ-トライアック, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス and サイリスタ-SCR-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated ZXMN10A11K electronic components. ZXMN10A11K can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ZXMN10A11K, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
ZXMN10A11K 製品の属性
品番 :
ZXMN10A11K
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET N-CH 100V 2.4A DPAK
シリーズ :
-
部品ステータス :
Discontinued at Digi-Key
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
2.4A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
6V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
350 mOhm @ 2.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
5.4nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
274pF @ 50V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
2.11W (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-252-3
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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