説明 :
MOSFET N-CH 100V 8-MLP
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
3.3A (Ta), 16A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
6V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
110 mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
21nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
880pF @ 50V
消費電力(最大) :
2.3W (Ta), 35W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-MLP (3.3x3.3)