メーカー :
Infineon Technologies
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
5.8A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
725 mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id :
4.5V @ 200µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
20nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
615pF @ 100V
動作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ :
Thin-Pak (8x8)