Infineon Technologies - IRLZ44ZPBF

KEY Part #: K6420316

IRLZ44ZPBF 価格設定(USD) [181664個在庫]

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品番:
IRLZ44ZPBF
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 55V 51A TO-220AB.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, ダイオード-整流器-シングル, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ and ダイオード-ツェナー-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRLZ44ZPBF 製品の属性

品番 : IRLZ44ZPBF
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 55V 51A TO-220AB
シリーズ : HEXFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 55V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 51A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 13.5 mOhm @ 31A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 36nC @ 5V
Vgs(最大) : ±16V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1620pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 80W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220AB
パッケージ/ケース : TO-220-3

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