SISH615ADN-T1-GE3 価格設定（USD） [367832個在庫]
- 1 pcs$0.10056
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CHAN 20 V POWERPAK 1212.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 競争上の優位性:
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SISH615ADN-T1-GE3 製品の属性
品番 :
SISH615ADN-T1-GE3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET P-CHAN 20 V POWERPAK 1212
シリーズ :
TrenchFET® Gen III
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
22.1A (Ta), 35A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
2.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
4.4 mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
183nC @ 10V
Vgs（最大） :
±12V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
5590pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
3.7W (Ta), 52W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PowerPAK® 1212-8SH
パッケージ/ケース :
PowerPAK® 1212-8SH
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