IRF9910TRPBF 価格設定（USD） [174721個在庫]
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- 品番:
- IRF9910TRPBF
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRF9910TRPBF electronic components. IRF9910TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF9910TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF9910TRPBF 製品の属性
品番 :
IRF9910TRPBF
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC
シリーズ :
HEXFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
10A, 12A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
9.3 mOhm @ 12A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.55V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
11nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
900pF @ 10V
パワー-最大 :
2W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SO
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