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- 品番:
- STD2NM60T4
- メーカー:
- STMicroelectronics
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 600V 2A DPAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-整流器-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, パワードライバーモジュール, トランジスタ-IGBT-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in STMicroelectronics STD2NM60T4 electronic components. STD2NM60T4 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STD2NM60T4, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STD2NM60T4 製品の属性
品番 :
STD2NM60T4
メーカー :
STMicroelectronics
説明 :
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
シリーズ :
MDmesh™
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
2A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
3.2 Ohm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
8.4nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
160pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
46W (Tc)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
DPAK
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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