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- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, パワードライバーモジュール and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TPC8111(TE12L,Q,M) electronic components. TPC8111(TE12L,Q,M) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPC8111(TE12L,Q,M), Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TPC8111(TE12L,Q,M) 製品の属性
品番 :
TPC8111(TE12L,Q,M)
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
MOSFET P-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
11A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
12 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
107nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
5710pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
1W (Ta)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SOP (5.5x6.0)
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
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