IXFT18N100Q3 価格設定（USD） [7060個在庫]
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- 90 pcs$6.71313
- 品番:
- IXFT18N100Q3
- メーカー:
- IXYS
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 1000V 18A TO-268.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
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- 競争上の優位性:
- We specialize in IXYS IXFT18N100Q3 electronic components. IXFT18N100Q3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFT18N100Q3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXFT18N100Q3 製品の属性
品番 :
IXFT18N100Q3
メーカー :
IXYS
説明 :
MOSFET N-CH 1000V 18A TO-268
シリーズ :
HiPerFET™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
1000V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
18A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
660 mOhm @ 9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
6.5V @ 4mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
90nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
4890pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
830W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-268
パッケージ/ケース :
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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