Infineon Technologies - BSM200GA120DN2HOSA1

KEY Part #: K6534430

BSM200GA120DN2HOSA1 価格設定(USD) [698個在庫]

  • 1 pcs$66.54077

品番:
BSM200GA120DN2HOSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
IGBT 2 MED POWER 62MM-2.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-SCR, ダイオード-RF and パワードライバーモジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSM200GA120DN2HOSA1 製品の属性

品番 : BSM200GA120DN2HOSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : IGBT 2 MED POWER 62MM-2
シリーズ : -
部品ステータス : Not For New Designs
IGBTタイプ : -
構成 : Single Switch
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 1200V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 300A
パワー-最大 : 1550W
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 3V @ 15V, 200A
電流-コレクターのカットオフ(最大) : 4mA
入力容量(Cies)@ Vce : 13nF @ 25V
入力 : Standard
NTCサーミスタ : No
動作温度 : 150°C (TJ)
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Module
サプライヤーデバイスパッケージ : Module

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