Infineon Technologies - BSM200GA120DN2HOSA1

KEY Part #: K6534430

BSM200GA120DN2HOSA1 価格設定(USD) [698個在庫]

  • 1 pcs$66.54077

品番:
BSM200GA120DN2HOSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
IGBT 2 MED POWER 62MM-2.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, サイリスタ-SCR, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-RF and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSM200GA120DN2HOSA1 製品の属性

品番 : BSM200GA120DN2HOSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : IGBT 2 MED POWER 62MM-2
シリーズ : -
部品ステータス : Not For New Designs
IGBTタイプ : -
構成 : Single Switch
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 1200V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 300A
パワー-最大 : 1550W
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 3V @ 15V, 200A
電流-コレクターのカットオフ(最大) : 4mA
入力容量(Cies)@ Vce : 13nF @ 25V
入力 : Standard
NTCサーミスタ : No
動作温度 : 150°C (TJ)
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Module
サプライヤーデバイスパッケージ : Module

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