Nexperia USA Inc. - PSMN2R2-30YLC,115

KEY Part #: K6415707

PSMN2R2-30YLC,115 価格設定(USD) [204029個在庫]

  • 1 pcs$0.18129
  • 1,500 pcs$0.14889

品番:
PSMN2R2-30YLC,115
メーカー:
Nexperia USA Inc.
詳細な説明:
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-RF, トランジスタ-IGBT-シングル and ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター)を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Nexperia USA Inc. PSMN2R2-30YLC,115 electronic components. PSMN2R2-30YLC,115 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PSMN2R2-30YLC,115, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PSMN2R2-30YLC,115 製品の属性

品番 : PSMN2R2-30YLC,115
メーカー : Nexperia USA Inc.
説明 : MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 100A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 2.15 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 1.95V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 55nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 3310pF @ 15V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 141W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : LFPAK56, Power-SO8
パッケージ/ケース : SC-100, SOT-669

あなたも興味があるかもしれません
  • FDD86380-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 80V 50A DPAK.

  • FQD3P50TM

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK.

  • FDD5690

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 30A D-PAK.

  • RFD14N05SM9A

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 50V 14A DPAK.

  • FDD86113LZ

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK-3.

  • FDD6637

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 35V 13A DPAK.