Nexperia USA Inc. - PSMN5R3-25MLDX

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品番:
PSMN5R3-25MLDX
メーカー:
Nexperia USA Inc.
詳細な説明:
PSMN5R3-25MLD/MLFPAK/REEL 7 Q.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-JFET and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PSMN5R3-25MLDX 製品の属性

品番 : PSMN5R3-25MLDX
メーカー : Nexperia USA Inc.
説明 : PSMN5R3-25MLD/MLFPAK/REEL 7 Q
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 25V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 70A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 5.9 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.2V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 12.7nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 858pF @ 12V
FET機能 : Schottky Diode (Body)
消費電力(最大) : 51W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : LFPAK33
パッケージ/ケース : SOT-1210, 8-LFPAK33

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