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- 品番:
- PSMN3R8-30LL,115
- メーカー:
- NXP USA Inc.
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 30V QFN3333.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス and トランジスタ-IGBT-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in NXP USA Inc. PSMN3R8-30LL,115 electronic components. PSMN3R8-30LL,115 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PSMN3R8-30LL,115, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
PSMN3R8-30LL,115 製品の属性
品番 :
PSMN3R8-30LL,115
メーカー :
NXP USA Inc.
説明 :
MOSFET N-CH 30V QFN3333
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
40A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
3.7 mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.15V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
38nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2085pF @ 15V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
69W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-DFN3333 (3.3x3.3)
パッケージ/ケース :
8-VDFN Exposed Pad
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