Diodes Incorporated - DMT6005LPS-13

KEY Part #: K6403343

DMT6005LPS-13 価格設定(USD) [173379個在庫]

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品番:
DMT6005LPS-13
メーカー:
Diodes Incorporated
詳細な説明:
MOSFET N-CHA 60V 17.9A POWERDI.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器 and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMT6005LPS-13 製品の属性

品番 : DMT6005LPS-13
メーカー : Diodes Incorporated
説明 : MOSFET N-CHA 60V 17.9A POWERDI
シリーズ : Automotive, AEC-Q101
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 60V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 17.9A (Ta), 100A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 4.9 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 47.1nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2962pF @ 30V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 2.6W (Ta), 125W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PowerDI5060-8
パッケージ/ケース : 8-PowerTDFN

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