IPD65R1K4CFDBTMA1 価格設定（USD） [183123個在庫]
- 1 pcs$0.20198
- 2,500 pcs$0.16494
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
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- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IPD65R1K4CFDBTMA1 electronic components. IPD65R1K4CFDBTMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD65R1K4CFDBTMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPD65R1K4CFDBTMA1 製品の属性
品番 :
IPD65R1K4CFDBTMA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252
シリーズ :
CoolMOS™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
650V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
2.8A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
1.4 Ohm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4.5V @ 100µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
10nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
262pF @ 100V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
28.4W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TO252-3
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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