STL40N10F7 価格設定（USD） [64546個在庫]
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- 品番:
- STL40N10F7
- メーカー:
- STMicroelectronics
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 100V POWERFLAT5X6.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-ツェナー-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in STMicroelectronics STL40N10F7 electronic components. STL40N10F7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STL40N10F7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STL40N10F7 製品の属性
品番 :
STL40N10F7
メーカー :
STMicroelectronics
説明 :
MOSFET N-CH 100V POWERFLAT5X6
シリーズ :
DeepGATE™, STripFET™ VII
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
40A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
24 mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
19nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1270pF @ 50V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
5W (Ta), 70W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PowerFlat™ (5x6)
パッケージ/ケース :
8-PowerVDFN
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