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Microsemi Corporation - APT32M80J

KEY Part #: K6408973

APT32M80J 価格設定（USD） [443個在庫]

  • 15 pcs$14.62607
品番:
APT32M80J
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
MOSFET N-CH 800V 33A SOT-227.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, サイリスタ-トライアック and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Microsemi Corporation APT32M80J electronic components. APT32M80J can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT32M80J, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT32M80J 製品の属性

品番 : APT32M80J
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : MOSFET N-CH 800V 33A SOT-227
シリーズ : POWER MOS 8™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 800V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 33A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 190 mOhm @ 24A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 5V @ 2.5mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 303nC @ 10V
Vgs（最大） : ±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 9326pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 543W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Chassis Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : ISOTOP®
パッケージ/ケース : SOT-227-4, miniBLOC

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