STWA50N65DM2AG 価格設定（USD） [18282個在庫]
- 1 pcs$2.25418
- 品番:
- STWA50N65DM2AG
- メーカー:
- STMicroelectronics
- 詳細な説明:
- POWER TRANSISTORS.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-JFET, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ and サイリスタ-SCRを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in STMicroelectronics STWA50N65DM2AG electronic components. STWA50N65DM2AG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STWA50N65DM2AG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STWA50N65DM2AG 製品の属性
品番 :
STWA50N65DM2AG
メーカー :
STMicroelectronics
説明 :
POWER TRANSISTORS
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
650V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
38A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
87 mOhm @ 19A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
69nC @ 10V
Vgs（最大） :
±25V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
3200pF @ 100V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
300W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-247
パッケージ/ケース :
TO-247-3
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