STMicroelectronics - STW25N60M2-EP

KEY Part #: K6396785

STW25N60M2-EP 価格設定(USD) [37938個在庫]

  • 1 pcs$1.03581
  • 600 pcs$1.03066

品番:
STW25N60M2-EP
メーカー:
STMicroelectronics
詳細な説明:
MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO247.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、パワードライバーモジュール, ダイオード-整流器-アレイ, サイリスタ-SCR, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-IGBT-アレイ and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in STMicroelectronics STW25N60M2-EP electronic components. STW25N60M2-EP can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STW25N60M2-EP, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STW25N60M2-EP 製品の属性

品番 : STW25N60M2-EP
メーカー : STMicroelectronics
説明 : MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO247
シリーズ : MDmesh™ M2-EP
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 600V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 18A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 188 mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4.75V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 29nC @ 10V
Vgs(最大) : ±25V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1090pF @ 100V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 150W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-247
パッケージ/ケース : TO-247-3

あなたも興味があるかもしれません
  • STFW2N105K5

    STMicroelectronics

    MOSFET N-CH 1050V 2A TO-3PF.

  • STFW20N65M5

    STMicroelectronics

    MOSFET N-CH 650V 18A TO-3PF.

  • STFW12N120K5

    STMicroelectronics

    MOSFET N-CH 1200V 12A TO-3PF.

  • STI6N95K5

    STMicroelectronics

    NCHANNEL 950V ZENER POWER MOSFET.

  • STI6N80K5

    STMicroelectronics

    MOSFET N-CH 800V 4.5A I2PAK.

  • STI20N65M5

    STMicroelectronics

    MOSFET N-CH 650V 18A I2PAK.