説明 :
MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
2.7A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
102 mOhm @ 2.7A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id :
1V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
8.6nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
550pF @ 10V
FET機能 :
Schottky Diode (Isolated)
消費電力(最大) :
485mW (Ta), 6.25W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ :
6-HUSON-EP (2x2)
パッケージ/ケース :
6-UDFN Exposed Pad