Nexperia USA Inc. - PMFPB8032XP,115

KEY Part #: K6420998

PMFPB8032XP,115 価格設定(USD) [316806個在庫]

  • 1 pcs$0.11675
  • 3,000 pcs$0.10093

品番:
PMFPB8032XP,115
メーカー:
Nexperia USA Inc.
詳細な説明:
MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、パワードライバーモジュール, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Nexperia USA Inc. PMFPB8032XP,115 electronic components. PMFPB8032XP,115 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PMFPB8032XP,115, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PMFPB8032XP,115 製品の属性

品番 : PMFPB8032XP,115
メーカー : Nexperia USA Inc.
説明 : MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : P-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 20V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 2.7A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 102 mOhm @ 2.7A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 1V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 8.6nC @ 4.5V
Vgs(最大) : ±12V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 550pF @ 10V
FET機能 : Schottky Diode (Isolated)
消費電力(最大) : 485mW (Ta), 6.25W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 6-HUSON-EP (2x2)
パッケージ/ケース : 6-UDFN Exposed Pad

あなたも興味があるかもしれません