STW11NM80 価格設定（USD） [12620個在庫]
- 1 pcs$3.05405
- 10 pcs$2.74865
- 100 pcs$2.26000
- 500 pcs$1.89351
- 1,000 pcs$1.64919
- 品番:
- STW11NM80
- メーカー:
- STMicroelectronics
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 800V 11A TO-247.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-JFET, ダイオード-RF, ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in STMicroelectronics STW11NM80 electronic components. STW11NM80 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STW11NM80, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STW11NM80 製品の属性
品番 :
STW11NM80
メーカー :
STMicroelectronics
説明 :
MOSFET N-CH 800V 11A TO-247
シリーズ :
MDmesh™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
800V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
11A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
400 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
43.6nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1630pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
150W (Tc)
動作温度 :
-65°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-247-3
パッケージ/ケース :
TO-247-3
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- AON6562
- IPD60R650CEATMA1
- HUFA76645S3ST-F085
- RJK5026DPP-E0#T2
- RJK2009DPM-00#T0
- IPA50R380CE
- BUZ73A H3046
- RJK6025DPD-00#J2
- IRLHM630TR2PBF
- SI4418DY-T1-GE3
- SI1403CDL-T1-GE3
- BSC200P03LSGAUMA1
- NDS8410A
- IRF6710S2TR1PBF
- IRFR5505CTRLPBF
- IRF1405ZSPBF
- IPB09N03LA G
- HUF75939P3
- RFP50N05L
- STW26NM50
- FQPF9N30
- FQI5N40TU
- ZVN4306AVSTOA
- NTB75N03L09T4G
- IRFU3911PBF
- IRF6691TR1
- NTP60N06L
- NP83P06PDG-E1-AY
- IRL1404ZL
- IRF7807VD1TR
- IRFS41N15DTRR
- IRFI510G
- IRF840L
- IRF540
- IXFV20N80P
- IPB107N20N3GATMA1
- IPB47N10S33ATMA1
- STB3NK60ZT4
- IPC020N10L3X1SA1
- ES6U1T2R