Infineon Technologies - IPD50N03S2L06ATMA1

KEY Part #: K6420257

IPD50N03S2L06ATMA1 価格設定(USD) [175563個在庫]

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品番:
IPD50N03S2L06ATMA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-特別な目的, パワードライバーモジュール, ダイオード-ツェナー-アレイ and ダイオード-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD50N03S2L06ATMA1 製品の属性

品番 : IPD50N03S2L06ATMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
シリーズ : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 50A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 6.4 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2V @ 85µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 68nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1900pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 136W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO252-3-11
パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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