IPP60R090CFD7XKSA1 価格設定（USD） [12004個在庫]
- 1 pcs$3.43305
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- HIGH POWERNEW.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
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IPP60R090CFD7XKSA1 製品の属性
品番 :
IPP60R090CFD7XKSA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
HIGH POWERNEW
シリーズ :
OptiMOS™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
25A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
90 mOhm @ 11.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4.5V @ 570µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
51nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2103pF @ 400V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
125W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TO220-3
パッケージ/ケース :
TO-220-3
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