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- 品番:
- JANSR2N7381
- メーカー:
- Microsemi Corporation
- 詳細な説明:
- N CHANNEL MOSFET TO-257 RAD.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Microsemi Corporation JANSR2N7381 electronic components. JANSR2N7381 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANSR2N7381, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
JANSR2N7381 製品の属性
品番 :
JANSR2N7381
メーカー :
Microsemi Corporation
説明 :
N CHANNEL MOSFET TO-257 RAD
シリーズ :
Military, MIL-PRF-19500/614
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
200V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
9.4A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
12V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
490 mOhm @ 9.4A, 12V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
50nC @ 12V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
-
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
2W (Ta), 75W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-257
パッケージ/ケース :
TO-257-3
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