Nexperia USA Inc. - PMV280ENEAR

KEY Part #: K6421480

PMV280ENEAR 価格設定(USD) [603830個在庫]

  • 1 pcs$0.06126
  • 3,000 pcs$0.05384

品番:
PMV280ENEAR
メーカー:
Nexperia USA Inc.
詳細な説明:
MOSFET N-CH 100V 1.1A TO236AB.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, パワードライバーモジュール, ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Nexperia USA Inc. PMV280ENEAR electronic components. PMV280ENEAR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PMV280ENEAR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PMV280ENEAR 製品の属性

品番 : PMV280ENEAR
メーカー : Nexperia USA Inc.
説明 : MOSFET N-CH 100V 1.1A TO236AB
シリーズ : TrenchMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 100V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 1.1A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 385 mOhm @ 1.1A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.7V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 6.8nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 190pF @ 50V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 580mW (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-236AB
パッケージ/ケース : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3