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- 品番:
- IXFR12N100
- メーカー:
- IXYS
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-RF, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-整流器-アレイ and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in IXYS IXFR12N100 electronic components. IXFR12N100 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFR12N100, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXFR12N100 製品の属性
品番 :
IXFR12N100
メーカー :
IXYS
説明 :
MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247
シリーズ :
HiPerFET™
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
1000V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
10A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
-
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
1.1 Ohm @ 6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5.5V @ 4mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
90nC @ 10V
Vgs（最大） :
-
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2900pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
-
動作温度 :
-
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
ISOPLUS247™
パッケージ/ケース :
ISOPLUS247™
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