現在地がリストにない場合は、次のいずれかを選択してください:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

現在地がリストにない場合は、次のいずれかを選択してください:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. ホーム
  2. 製品
  3. ディスクリート半導体製品
  4. トランジスタ-FET、MOSFET-シングル
  5. 2N7636-GA

GeneSiC Semiconductor - 2N7636-GA

KEY Part #: K6404290

2N7636-GA 価格設定（USD） [2063個在庫]

  • 10 pcs$109.49338
品番:
2N7636-GA
メーカー:
GeneSiC Semiconductor
詳細な説明:
TRANS SJT 650V 4A TO276.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-トライアック, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター） and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in GeneSiC Semiconductor 2N7636-GA electronic components. 2N7636-GA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 2N7636-GA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

2N7636-GA 製品の属性

品番 : 2N7636-GA
メーカー : GeneSiC Semiconductor
説明 : TRANS SJT 650V 4A TO276
シリーズ : -
部品ステータス : Obsolete
FETタイプ : -
技術 : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 650V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 4A (Tc) (165°C)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : -
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 415 mOhm @ 4A
Vgs（th）（最大）@ Id : -
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : -
Vgs（最大） : -
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 324pF @ 35V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 125W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 225°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-276
パッケージ/ケース : TO-276AA
あなたも興味があるかもしれません
  • CPH6355-TL-H

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 30V 3A CPH6.

  • AUIRLR024Z

    Infineon Technologies

    MOSFET N CH 55V 16A DPAK.

  • AUIRFR4292

    Infineon Technologies

    MOSFET N CH 250V 9.3A DPAK.

  • IRFR7440PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N CH 40V 90A DPAK.

  • IPA50R380CE

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 500V 9.9A TO220FP.

  • IPA50R190CE

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220FP.

ホットパーツ