IXYS - IXFP22N65X2M

KEY Part #: K6394798

IXFP22N65X2M 価格設定(USD) [33790個在庫]

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品番:
IXFP22N65X2M
メーカー:
IXYS
詳細な説明:
MOSFET N-CH.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFP22N65X2M 製品の属性

品番 : IXFP22N65X2M
メーカー : IXYS
説明 : MOSFET N-CH
シリーズ : HiPerFET™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 650V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 22A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 145 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 5V @ 1.5mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 37nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2190pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 37W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220 Isolated Tab
パッケージ/ケース : TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab