説明 :
MOSFET N-CH 1KV 12.5A TO-268
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) :
1000V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
12.5A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
900 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id :
4.5V @ 4mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
155nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
4000pF @ 25V
パッケージ/ケース :
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA