[13458個在庫]
- 品番:
- IXFT13N100
- メーカー:
- IXYS
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 1KV 12.5A TO-268.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, サイリスタ-トライアック and サイリスタ-DIAC、SIDACを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in IXYS IXFT13N100 electronic components. IXFT13N100 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFT13N100, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXFT13N100 製品の属性
品番 :
IXFT13N100
メーカー :
IXYS
説明 :
MOSFET N-CH 1KV 12.5A TO-268
シリーズ :
HiPerFET™
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
1000V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
12.5A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
900 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4.5V @ 4mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
155nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
4000pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
300W (Tc)
動作温度 :
-
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-268
パッケージ/ケース :
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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