IRLZ14STRRPBF 価格設定（USD） [103532個在庫]
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- 800 pcs$0.33871
- 品番:
- IRLZ14STRRPBF
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-SCR-モジュール, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and ダイオード-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix IRLZ14STRRPBF electronic components. IRLZ14STRRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRLZ14STRRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRLZ14STRRPBF 製品の属性
品番 :
IRLZ14STRRPBF
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
10A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4V, 5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
200 mOhm @ 6A, 5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
8.4nC @ 5V
Vgs（最大） :
±10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
400pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
3.7W (Ta), 43W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
D2PAK
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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